Samsung onthult V10 BV-NAND met wafer bonding en 400 lagen

Samsung heeft tijdens de Future of Memory and Storage (FMS) 2026 een reeks nieuwe geheugentechnologieën voor AI gepresenteerd. Naast een prototype van V10 BV-NAND met meer dan 400 lagen liet het bedrijf ook concepten zien voor nieuwe 3D-geheugenarchitecturen, waaronder zHBM en zNAND-O. De introductie komt op een moment dat Samsung zijn positie op de AI-geheugenmarkt […]
techzine
05-08-2026 14:22